1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗小; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
江苏省省长许昆林莅临宏微科技调研… 17月2日的下午,浙江省省纪委副镇长、省长许昆林莅临指导浙江宏微科技发展股… 2022-11-07 了解更多
“宏微科技”首次向公司员工授予限… 宏微网络于 2022 年 8 月 26 日举行第四个届董事长会第十九2次会议安排、第… 2022-09-03 了解更多
常州市委书记陈金虎一行走访慰问宏… 22年一月份26日最新,常州市市委书纪陈金虎莅临指导深圳宏微科技创新持股现有… 2022-01-26 了解更多