1500V MOS Discretes ◆ Low Rdson; ◆ High Speed Switch; ◆ High UIS; More
RC-IGBT Discretes ◆ IGBT/FWD On the Same Chip; ◆ Low Vcesat; ◆ High Reliability; ◆成本低; More
M3i-GT Low Vcesat IGBT Discretes ◆ Trench & Fieldstop Technology; ◆ Soft Turn On Characteristic,Low di/dt,Low EMI; ◆ Small Tail Current,Soft Turn Off Characteristic;; More
GTU High Speed IGBT Discretes ◆ Trench & Fieldstop Technology; ◆ Soft Turn On Characteristic,Low di/dt,Low EMI; ◆ Low Tf,Low Eoff; More
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国家集成电路产业投资基金股份有限… 5月12日,国集成型电路板服务业投資债卷装修公司股票有局限装修公司总载、中华高档芯… 2018-07-16 More
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“宏微-北汽新能源IGBT联合实… 2月末,“2018北汽新生物质能全球排名朋友们会”在郑州隆重开幕,公司副集团总裁长赵… 2018-02-22 More